Etude par des méthodes de diffusion de rayons X des propriétés structurales du silicium après implantation ionique
L'implantation ionique à très basse énergie (< 5keV) dans le silicium est utilisée pour la production de transistors CMOS. Les défauts présents dans le Si après implantation et recuit jouent un rôle crucial pour les performances du dispositif et, de ce fait, leur caractérisation structurale...
| Main Author: | |
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| Language: | ENG |
| Published: |
Université Claude Bernard - Lyon I
2005
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00009791 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/82/71/PDF/tel-00009791.pdf |