Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques
Ces travaux de recherche portent sur l'évaluation de la fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP au moyen de la mise en place de techniques spécifiques adaptées. Avant tout, les procédés de fabrication de ces composants sont décrits et les caractéristiques électriq...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Sciences et Technologies - Bordeaux I
2004
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010886 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/87/32/PDF/tel-00010886.pdf |