ETUDE PAR SIMULATION MONTE CARLO D'ARCHITECTURES DE MOSFET ULTRACOURTS A GRILLE MULTIPLE SUR SOI
Dans les transistors MOS (Métal Oxyde Semiconducteur) fortement submicroniques (<100 nm), l'augmentation de la densité d'intégration des composants s'accompagne d'une dégradation de certaines caractéristiques électriques (effets de canal court), tout particulièrement dans le r...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2005
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011335 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/05/42/24/PDF/These_JSM.pdf |