Croissance de diélectrique à forte permittivité par la technique MOCVD en phase liquide pulsée : Elaboration, et caractérisation de films de HfO2.
La miniaturisation des transistors CMOS permet d'améliorer les performances, la densité d'intégration et le coût des circuits intégrés. Cependant, de nos jours, le transistor se heurte à des limitations physiques. Afin de perpétuer l'accroissement des performances, l'intégration...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2006
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00130390 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/03/90/PDF/These_KD_fev07.pdf |