Blocage de Coulomb dans les transistors silicium à base de nanofils
Cette thèse est consacrée à des mesures de transport électronique dans des transistors mono-électroniques de type MOSFET silicium à base de nanofil.<br />L'îlot de blocage de Coulomb n'est pas formé par des constrictions ou des barrières d'oxyde mais par une modulation du dopage...
| Main Author: | |
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| Language: | ENG |
| Published: |
2006
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00131052 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/10/52/PDF/phd-max.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/10/52/ANNEX/soutenance.pdf |