Epitaxie par jets moléculaires de nanostructures isolées de germanium sur silicium
Les travaux présentés dans ce manuscrit sont consacrés à la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) de nanostructures isolées de Ge sur Si. Nous nous sommes intéressés à trois types de nanostructures; des boîtes quantiques isoléees de Ge avec une forte densité, des boîtes de Ge auto orga...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2006
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00133594 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/43/51/PDF/Manuscrit.pdf |