Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs
Le transistor bipolaire a hétérojonction gaas/gaalas (tbh) présente de fortes potentialités pour l'amplification hyperfréquence de puissance. Ce mémoire constitue une contribution à l'optimisation d'un processus technologique de fabrication de ce transistor pour ce domaine d'appl...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
1995
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00146678 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/14/66/78/PDF/Granier.pdf |