Etude et développement de procédés de gravure plasma de HfO2 pour l'élaboration de transistors CMOS sub-45 nm
La miniaturisation des dispositifs CMOS impose d'introduire de nouveaux matériaux dans l'empilement de grille des transistors. Ainsi, l'empilement classique poly-silicium/SiO2 est remplacé par un empilement poly- silicium/métal/matériau à haute permittivité diélectrique. L'introd...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00370202 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/37/02/02/PDF/These_Elodie_Sungauer.pdf |