Cristallogenèse de carbure de silicium cubique en solution à haute température
Malgré ses propriétés remarquables, le développement de l'électronique basée sur 3C-SiC souffre du manque de substrats massifs. Ce fait résulte de l'absence d'un procédé d'élaboration adapté à ce matériau. Ce travail est dédié à l'étude de la croissance cristalline de 3C-SiC...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00443882 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/44/38/82/PDF/Mercier_these_final.pdf |