Réalisation de jonctions ultra courtes par multi-implantation dans du Si
Les circuits deviennent de plus en plus intégrés pour augmenter les performances des dispositifs microélectroniques. La formation de jonctions ultra courtes (USJs) est un challenge majeur pour la réalisation de la prochaine génération de transistors à effet de champ (MOSFET) ayant une longueur de gr...
| Main Author: | |
|---|---|
| Language: | fra |
| Published: |
Université d'Orléans
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00494619 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/49/46/19/PDF/2009ORLE2047_0_0.pdf |