Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins
L'intégration monolithique de matériaux III-V ou Ge sur Si est un enjeu majeur de l'hétéroépitaxie qui a donné lieu à de nombreuses recherches depuis plus de vingt ans. Car premièrement, il permet de combiner des fonctionnalités optoélectroniques au standard industriel CMOS, cela peut remp...
| Main Author: | |
|---|---|
| Language: | FRE |
| Published: |
Ecole Centrale de Lyon
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00565337 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/56/53/37/PDF/TH_T2189_jcheng.pdf |