Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 um sur substrat "silicium sur isolant" (SOI pour les nouvelles gégérations de circuits intégrés de puissance
Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 µm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance. Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00566469 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/56/64/69/PDF/These_Gaetan_TOULON.pdf |