Modélisation du transport quasi-balistique pour la simulation de circuits à base de nano-transistor multigrilles.
Le transistor MOSFET atteint aujourd'hui des dimensions déca nanométriques pour lesquelles les effets de balisticité ne peuvent plus être négligés. Le challenge actuel est d'être capable d'introduire le transport (quasi-)balistique dans la modélisation des dispositifs innovants et d&#...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Provence - Aix-Marseille I
2009
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00569429 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/56/94/29/PDF/these_S_Martinie.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/56/94/29/ANNEX/soutenance_S_Martinie.pdf |