Développement de briques technologiques pour la réalisation de transistors MOS de puissance en Nitrure de Gallium
Les potentialités du nitrure de gallium (GaN), semiconducteur à large bande interdite, en font un matériau particulièrement intéressant en électronique de puissance, notamment pour des applications haute tension, haute température et haute fréquence. L'objectif de ce travail de thèse était de d...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00624190 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/62/41/90/PDF/These_Elias_Finale.pdf |