Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température
Dans le domaine de l'électronique de puissance, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large ba...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
INSA de Lyon
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665817 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/58/17/PDF/these.pdf |