Développement et optimisation d'un procédé de gravure grille polysilicium pour les noeuds technologiques 45 et 32 nm

Dans la course à l'intégration, l'un des paramètres les plus critiques dans la fabrication des dispositifs et leur performance est la définition des grilles des transistors et en particulier le contrôle en dimension de ces grilles de transistors. Pour le nœud technologique 45nm, la variati...

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Bibliographic Details
Main Author: Babaud, Laurene
Language:FRE
Published: 2010
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00668102
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/81/02/PDF/ThA_se-L.Babaud-_2010.pdf