Etude des mécanismes physiques responsables des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base d'hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN
La fabrication des composants semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) connaît actuellement une grande expansion. Ce matériau, par ces propriétés physico-chimiques intéressantes, est un très bon candidat pour la fabrication des composants de puissance à haute fréquence de fonctionnement....
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
INSA de Lyon
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679527 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/67/95/27/PDF/these.pdf |