Caractérisation de transport des électrons dans les transistors MOS à canal court
La qualité du transport électronique est l'une des clés permettant de soutenir la progression des performances pour les futures générations de composants. De très nombreux facteurs, comme le choix de l'isolant et du métal de grille, le matériau de canal ou la présence de contraintes mécani...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00720613 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/72/06/13/PDF/Subramanian_Narasimhamoorthy_2011_Archivage.pdf |