Etude et modélisation des phénomènes physiques émergents pour la simulation de dispositifs électroniques à base de nanofils de silicium
Dans le contexte actuel d'optimisation des performances des dispositifs de microélectronique, le transistor MOSFET, brique de base, est soumis à des contraintes géométriques telles que son architecture même est remise en cause. L'augmentation du nombre de grille afin d'accentuer le co...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Aix-Marseille Université
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00764112 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/76/41/12/PDF/Manuscrit_final_Julien_DURA_2.pdf |