Analyse des mécanismes de défaillance dans les transistors de puissance radiofréquences HEMT AlGaN/GaN
Les HEMT AlGaN/GaN sont en passe de devenir incontournables dans le monde de l'amplification de puissance radiofréquence, grâce à leurs performances exceptionnelles. Cependant,en raison de la relative jeunesse de cette technologie, des études de fiabilité dans plusieurs modes de fonctionnement...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Cergy Pontoise
2012
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00765251 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/76/52/51/PDF/36134_FONDER_2012_archivage.pdf |