Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille
Au cours de ce travail, nous avons procédé à une analyse extensive des dislocations d'interface et de la relaxation des contraintes dans les couches épitaxiales de GaSb sur GaAs (ou GaP) par microscopie électronique en transmission. Sur le substrat de GaAs, nous avons étudié le rôle de l'é...
| Main Author: | |
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| Language: | ENG |
| Published: |
Université de Caen
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00779457 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/77/94/57/PDF/Thesis.pdf |