Caractérisation des processus élémentaires de croissance des cristaux de carbure de silicium non désorienté
Le carbure de silicium est un semiconducteur prometteur pour les applications en électronique de température et de haute puissance. La croissance de SiC a été améliorée continuellement pendant les derniers années mais la connaissance des processus à la surface pendant la croissance est encore faible...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00965640 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/96/56/40/PDF/35840_SEISS_2013_archivage.pdf |