Conception, fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ haute tension en carbure de silicium et de leur diode associée
Dans le contexte des transports plus électriques, les parties mécaniques tendent à être remplacées par leurs équivalents électriques plus petits. Ainsi, le composant lui-même doit supporter un environnement plus sévère et de lourdes contraintes (haute tension, haute température). Les composants sili...
| Main Author: | |
|---|---|
| Language: | fra |
| Published: |
INSA de Lyon
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01016687 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/01/01/66/87/PDF/these.pdf |