Propriétés structurales et optiques de nanostructures III-N semiconductrices à grand gap : nanofils d'AlxGa1-xN synthétisés par épitaxie par jets moléculaires et nanostructures de nitrure de bore.
Ce travail de thèse s'intéresse aux propriétés structurales et optiques de semiconducteurs à grand gap de nitrure d'éléments III (AlxGa1-xN et h-BN), émettant dans l'ultraviolet (4-6 eV). Les propriétés des nano-objets étant modifiées par la réduction de dimensionnalité, un point cent...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université Pierre et Marie Curie - Paris VI
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01020119 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/01/02/01/19/PDF/LEM14046.1403515919.pdf |