Phénomènes d'injection et de décohérence de spin dans des structures semiconductrices
La possibilité d'injecter électriquement des porteurs polarisés en spin dans un semiconducteur (SC) et de convertir une accumulation de spin en un signal électrique ouvre la voie à de nouvelles fonctionnalités. Il a été montré que l'injection efficace de porteurs depuis un métal de transit...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université Pierre et Marie Curie - Paris VI
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01060369 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/01/06/03/69/PDF/TheseJulianPeiro.pdf |