Fiabilité des diélectriques low-k SiOCH poreux dans les interconnexions CMOS avancées
Avec la miniaturisation continue des circuits intégrés et le remplacement de l'oxyde de silicium par des diélectriques low-k poreux à base de SiOCH, la fiabilité des circuits microélectroniques a été fortement compromise. Il est aujourd'hui extrêmement important de mieux appréhender les mé...
| Main Author: | |
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| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01063862 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/01/06/38/62/PDF/Manuscrit_E_Chery_25_04_2014.pdf |