半導體Cu3(Sb1-xMx)Se4, M= Ti, Sn, Pb, Ge的摻雜效應對熱電性質的影響
銅銻硒礦是具有 0.3 eV狹窄能帶間隙的P型半導體，且已被發現是在中溫區下極具潛力的熱電材料。銅銻硒礦的晶體結構具有三維銅硒子框架可提供導電的電洞，而有較高的功率因子900 μW/mK2。銻硒四面體結構可藉由其他元素取代銻的位置，扭曲其鑽石結構以達到提高功率因子以及降低熱傳導的目的。理論預測可藉由 IV 族元素鍺、錫、鉛和過渡金屬鈦等元素取代銻來提供電洞載子。本研究藉由燒結與電漿放電製備樣品，探討鈦、錫、鉛、鍺取代銻的熱電效應。 在上述之元素取代效應後，鈦與鉛並沒有帶來顯卓的熱電效應提升，反之錫與鍺能有效地提升電洞載子濃度，然而與摻錫的研究相似的結果已被其他團隊發表，惟鍺的取代效應則尚未被做...
| Main Authors: | , |
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| Language: | 中文 |
| Published: |
國立政治大學
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://thesis.lib.nccu.edu.tw/cgi-bin/cdrfb3/gsweb.cgi?o=dstdcdr&i=sid=%22G0102755011%22. |