Caracterización de aleaciones semiconductoras por espectroscopía Raman
En esta tesis se presenta un estudio por espectroscopía Raman de la calidad estructural del cristal y del comportamiento de los modos acoplados en las aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Como se sabe, cuando las impurezas son introducidas en las aleaciones AlxGa1-xAs: Si pueden ser observados...
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| Format: | Others |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Universidad Nacional Mayor de San Marcos
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://cybertesis.unmsm.edu.pe/handle/cybertesis/260 |