Chalcogen modification of GaAs(100) surfaces and metal/GaAs(100) contacts

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Der Einfluss der Modifikation der technologisch relevanten GaAs(100) Oberfläche durch Chalkogene, i.e. Selen, Schwefel und Tellur, wird in dieser Arbeit untersucht. Es wird ein Modell vorgestellt, das die Eigenschaften der modifizierten Oberfläche beschreibt. In einem zweiten Schritt werden die so m...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Hohenecker, Stefan
Other Authors: Technische Universität Chemnitz
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: 2002
Subjects:
info:eu-repo/classification/ddc/530
ddc:530
Galliumarsenid
Oberflächenphysik
Vakuum-UV-Spektroskopie
Halbleitergrenzfläche
Schottky-Kontakt
Passivierung
Chalkogene
Ultrahochvakuum
Photoemissionsspektrum
GaAs(100)
Sulphur
Selenium
Schottky contacts
Passivation
Schottky barrier
Metal induced gap states (MIGS)
Band bending
Surface
Photoemission spectroscopy
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200200268
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A17805
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17805/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17805/attachment/ATT-1/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17805/attachment/ATT-2/

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200200268
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A17805
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17805/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17805/attachment/ATT-1/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17805/attachment/ATT-2/

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