Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen

Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen

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Summary (english): The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circui...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Baumann, Jens
Other Authors: Gessner, Thomas
Format: Doctoral Thesis
Language:German
Published: 2004
Subjects:
info:eu-repo/classification/ddc/620
ddc:620
Diffusion
Diffusionsbarriere
PVD-Verfahren
Silicium
Sperrstrom
Tantal
Tantalnitride
Titan
Titannitrid
Wolfram
Diode
Festkörperreaktion
Grenzflächenreaktion
Halbleitertechnologie
Hume-Rothery-Phase
Kupfer
Metallisierungsschicht
Metallschicht / Dünne Schicht
Wolframnitrid
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400653
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18149
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18149/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18149/attachment/ATT-1/

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400653
https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18149
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18149/attachment/ATT-0/
https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18149/attachment/ATT-1/

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