Ein Beitrag zum Nachweis tiefer Störstellen in halbisolierendem Galliumarsenid mittels PICTS
Das PICTS-Verfahren ist eine der am häufigsten eingesetzten Methoden zur Charakterisierung semiisolierender Halbleiter. Die methodischen Fortschritte bei der Ermittlung von Störstellenparametern mit diesem Verfahren werden in dieser Arbeit vorgestellt. Als praktikable Methode für den Nachweis einer...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | deu |
| Published: |
Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola"
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-3301120 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-3301120 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/2181/PhysikZychowitzGert330112.pdf |