Größenkontrollierte Herstellung von Ge-Nanokristallen in Hoch-Epsilon-Dielektrika auf Basis von ZrO2

Größenkontrollierte Herstellung von Ge-Nanokristallen in Hoch-Epsilon-Dielektrika auf Basis von ZrO2

Nanokristalle werden beispielsweise für eine Anwendung in Solarzellen, Lichtemittern und nichtflüchtigen Datenspeichern diskutiert. Damit diese Anwendungen funktionieren können, ist eine genaue Kontrolle der Kristallitgröße sowie der Flächendichte und Lage der Kristallite in der Matrix wichtig. Zude...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Lehninger, David
Other Authors: TU Bergakademie Freiberg, Chemie und Physik
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola" 2018
Subjects:
Nanokristalle
Germanium
Hoch-Epsilon
high-k
ZrO2
nichtflüchtiger Datenspeicher
NVM
nanocrystals
germanium
zirconia
non volatile memory
nvm
ddc:530
ddc:660
Nanokristall
Zirkoniumdioxid
Speicherzelle
Solarzelle
Silicium
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-236209
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-236209
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/23620/Lehninger_Dissertation_DL_FFH_2bb.pdf

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-236209
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:105-qucosa-236209
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/23620/Lehninger_Dissertation_DL_FFH_2bb.pdf

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