Modellierung von Transistoren mit lokaler Ladungsspeicherung für den Entwurf von Flash-Speichern
In dieser Arbeit werden Speichertransistoren mit Oxid-Nitrid-Oxid-Speicherschicht und lokaler Ladungsspeicherung untersucht, die zur nichtflüchtigen Speicherung von Informationen genutzt werden. Charakteristisch für diese Transistoren ist, dass an beiden Enden des Transistorkanals innerhalb der Isol...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | deu |
| Published: |
Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-ds-1206006642261-96038 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-ds-1206006642261-96038 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/839/1206006642261-9603.pdf |