Integration von Multi-Gate-Transistoren auf Basis einer 22 nm-Technologie
Die kontinuierliche Skalierung der planaren MOSFETs war in den vergangenen 40 Jahren der Schlüssel, um die Bauelemente immer kleiner und leistungsfähiger zu gestalten. Hinzu kamen Techniken zur mechanischen Verspannung, Verfahren zur Kurzzeitausheilung, die in-situ-dotierte Epitaxie und neue Materia...
| Main Author: | |
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| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | deu |
| Published: |
Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-132044 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-132044 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/13204/Dissertation_Tim_Baldauf.pdf |