Zum thermischen Widerstand von Silicium-Germanium-Hetero-Bipolartransistoren

Zum thermischen Widerstand von Silicium-Germanium-Hetero-Bipolartransistoren

Der thermische Widerstand ist eine wichtige Kenngröße von Silicium-Germanium-Hetero-Bipolartransistoren (SiGe-HBTs). Bisher kam es bei der quantitativen Bestimmung der thermischen Widerstände von SiGe-HBTs zu deutlichen Abweichungen zwischen Simulation und Messung. Der Unterschied zwischen Simulatio...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Korndörfer, Falk
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2014
Subjects:
Bauelementesimulation
Early-Effekt
Selbsterwärmung
SiGe-BiCMOS
SiGe-Hetero-Bipolartransistor
Spezifische Wärmeleitfähigkeit
Thermische Simulation
Thermischer Widerstand
Early effect
device simulation
heterojunction bipolar transistor
Seebeck effect
self-heating
SiGe HBT
thermal conductivity
thermal resistance
thermal simulation
thermoelectricity
ddc:536
ddc:537
ddc:620
ddc:629
Seebeck-Effekt
Thermoelektrizität
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-150269
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-150269
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/15026/Dissertation_Korndoerfer_Falk.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/15026/signatur.txt.asc

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-150269
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-150269
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/15026/Dissertation_Korndoerfer_Falk.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/15026/signatur.txt.asc

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