Cu(Ag)-Legierungsschichten als Werkstoff für Leiterbahnen höchstintegrierter Schaltkreise

Cu(Ag)-Legierungsschichten als Werkstoff für Leiterbahnen höchstintegrierter Schaltkreise

Die vorliegende Arbeit verfolgt das Ziel, Cu(Ag)-Dünnschichten als potentiellen Werkstoff für Leiterbahnen in der Mikroelektronik zu untersuchen. Für die Beurteilung dieses Materialsystems wurden vier Schwerpunkte bezüglich der Schichtcharakterisierung definiert: Herstellung, Gefüge, thermomechanisc...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Strehle, Steffen
Other Authors: Technische Universität Dresden, Maschinenwesen
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden 2007
Subjects:
Cu-Ag
Legierungsschicht
Kupfer-Silber
Leiterbahn
elektrochemische Abscheidung
Gefüge
Verunreinigungen
elektrische Eigenschaften
Substratkrümmung
Diffusion
Schichtspannung
Spannungsabbau
Elektromigration
Blech-Struktur
alloy film
copper-silver
interconnect
electrochemical deposition
microstructure
impurities
electrical properties
substrate curvature
diffusion
film stress
stress relaxation
electromigration
Blech-Structure
ddc:620
rvk:UP 7500
VLSI
Integrierte Schaltung
Dünne Schicht
Kupferlegierung
Silberlegierung
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1175691002696-74744
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1175691002696-74744
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/1760/1175691002696-7474.pdf

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1175691002696-74744
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:14-1175691002696-74744
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/1760/1175691002696-7474.pdf

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