Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen

Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen

Show other versions (3)

The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circuit are summarized. The...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Baumann, Jens
Other Authors: TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format: Doctoral Thesis
Language:deu
Published: Universitätsbibliothek Chemnitz 2004
Subjects:
Wolframnitrid
ddc:620
Diffusion
Diffusionsbarriere
Metallschicht / Dünne Schicht
PVD-Verfahren
Silicium
Sperrstrom
Tantal
Tantalnitride
Titan
Titannitrid
Wolfram
Diode
Festkörperreaktion
Grenzflächenreaktion
Halbleitertechnologie
Hume-Rothery-Phase
Kupfer
Metallisierungsschicht
Metallschicht
Online Access:http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400726
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400726
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4828/data/diss.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4828/20040072.txt

Internet

http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400726
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400726
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4828/data/diss.pdf
http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4828/20040072.txt

Similar Items