Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen

The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circuit are summarized. The...

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Bibliographic Details
Main Author:	Baumann, Jens
Other Authors:	TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Format:	Doctoral Thesis
Language:	deu
Published:	Universitätsbibliothek Chemnitz 2004
Subjects:	Wolframnitrid ddc:620 Diffusion Diffusionsbarriere Metallschicht / Dünne Schicht PVD-Verfahren Silicium Sperrstrom Tantal Tantalnitride Titan Titannitrid Wolfram Diode Festkörperreaktion Grenzflächenreaktion Halbleitertechnologie Hume-Rothery-Phase Kupfer Metallisierungsschicht Metallschicht
Online Access:	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400726 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:swb:ch1-200400726 http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4828/data/diss.pdf http://www.qucosa.de/fileadmin/data/qucosa/documents/4828/20040072.txt