Epitaxial Growth and Ultrafast Dynamics of GeSbTe Alloys and GeTe/Sb2Te3 Superlattices

Epitaxial Growth and Ultrafast Dynamics of GeSbTe Alloys and GeTe/Sb2Te3 Superlattices

In dieser Arbeit wird das Wachstum von dünnen quasi-kristallinen Ge-Sb-Te (GST) Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie demonstriert, die zu einer geordneten Konfiguration von intrinsischen Kristallgitterfehlstellen führen. Es wird gezeigt, wie es eine Strukturanalyse basierend auf Röntgenstrahlbe...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bragaglia, Valeria
Other Authors: Riechert, Henning
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Humboldt-Universität zu Berlin 2017
Subjects:
GeSbTe
Phasenwechselmaterialen
Grenzfläche
Molekularstrahlepitaxie
Metall-Isolator Übergang
Röntgenstrukturanalyse
Raman Spektroskopie
fernes-Infrarot und Terahertz Spektroskopie
Ultraschnelle Dynamiken
Röntgenstrahlung Spektroskopie
Chalkogenide Übergitter GeTe/Sb2Te3
Phase-Change Materials
Interfaces
Molecular Beam Epitaxy
Metal-Insulator Transition
X-ray Diffraction
Raman Spectroscopy
Far-Infrared and Terahertz Spectroscopy
Ultrafast Dynamics
X-ray Absorption Spectroscopy
Chalcogenide superlattice GeTe/Sb2Te3
530 Physik
UP 7500
ddc:530
Online Access:http://edoc.hu-berlin.de/18452/19083
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/19083-3
http://dx.doi.org/10.18452/18406

Internet

http://edoc.hu-berlin.de/18452/19083
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/19083-3
http://dx.doi.org/10.18452/18406

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