Theoretical Spectroscopy of Ga2O3
Um neue Halbleiter-Bauelemente zu entwickeln und die Effizienz bereits existierender zu verbessern, müssen neue Materialien erkundet und untersucht werden. Für Anwendungen in Hochleistungselektronik und UV-Optoelektronik ist Ga2O3 mit seiner ultra-weiten Bandlücke von 4.8 eV ein vielversprechender K...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
Humboldt-Universität zu Berlin
2021
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://edoc.hu-berlin.de/18452/22938 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/22938-0 http://dx.doi.org/10.18452/22113 |