Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os segui...
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Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
2007
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Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/10724 |