Leakage current modeling in sub-micrometer CMOS complex gates
Para manter o desempenho a uma tensão de alimentação reduzida, a tensão de threshold e as dimensões dos transistores têm sido reduzidas por décadas. A miniaturização do transistor para tecnologias sub-100nm resulta em um expressivo incremento nas correntes de fuga, tornando-as parte significativa da...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | English |
| Published: |
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/14903 |