Estudo do poder de freamento eletrônico de íons de He e B canalizados em Si
Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e B ao longo da direção < 100 > do Si, com energias que vão desde 200 ke V a 4,5 Me V, no primeiro caso, e de 500 ke V a 9 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com amostras do tipo SIMOX, as quais consiste...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/149850 |