Defect engineering in H and He implanted Si

Defect engineering in H and He implanted Si

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Ce travail porte sur l’étude des phénomènes induits par implantation d’hydrogène et/ou d’hélium dans le silicium monocristallin. Le cloquage et l’exfoliation dus à la coimplantation d’hélium et d’hydrogène ont été étudiés en fonction des paramètres d’implantation (énergie, fluence, courant, rapport...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Reboh, Shay
Other Authors: Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Format: Others
Language:English
Published: 2009
Subjects:
Silicium
Implantation ionique
Hélium
Hydrogène
DRX
MET
Contrainte
SEM
Élasticité
Implantacao de ions
Hidrogênio
Hélio
Elasticidade
Silicio
Silicon
Ion implantation
Helium
Hydrogen
Strain
Elasticity
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/15297

Internet

http://hdl.handle.net/10183/15297

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