Análise do uso de redundância em circuitos gerados por síntese de alto nível para FPGA programado por SRAM sob falhas transientes

Análise do uso de redundância em circuitos gerados por síntese de alto nível para FPGA programado por SRAM sob falhas transientes

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Este trabalho consiste no estudo e análise da suscetibilidade a efeitos da radiação em projetos de circuitos gerados por ferramenta de Síntese de Alto Nível para FPGAs (Field Programmable Gate Array), ou seja, circuitos programáveis e sistemas em chip, do inglês System-on-Chip (SOC). Através de um i...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Santos, André Flores dos
Other Authors: Kastensmidt, Fernanda Gusmão de Lima
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2018
Subjects:
Microeletrônica
Fpga
Field-Programable Gate Arrays (FPGAs)
Triple Modular Redundance (TMR)
Single Event Upset (SEU)
Single Event Effects (SEEs)
System-on-Chips (SoCs)
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/178392

Internet

http://hdl.handle.net/10183/178392

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