Estudo do crescimento de filmes de carbono sobre silício devido à irradiação com feixes de H e He
É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações entre o feixe de íons, as moléculas de gás residual no interior das câmaras de irradiação e a...
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Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
2007
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Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/3312 |