Double-gate nanotransistors in silicon-on-insulator : simulation of sub-20 nm FinFETs
Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como “SOI-FinFET”. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante – “Silicon-on- Insulator”, SOI – com porta dupla e cujo canal e zonas d...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | English |
| Published: |
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/65631 |