Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante

Análises dos transistores de porta flutuante : modelamento e impacto do efeito de doses total ionizante

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Nesta dissertação é apresentado o estudo dos transistores de porta flutuante (Floating Gate Transistor - FG Transistor), sua modelagem, e a análise do efeito da dose de ionização total (Total Ionizing Dose- TID) sobre os transistores FG. Para isto foi procurado e implementado um modelo de simulação...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Grisales, Catalina Aguirre
Other Authors: Wirth, Gilson Inacio
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2014
Subjects:
Transistores
Simulação numérica
Floating gate transistor
MOS transistor
Total ionizing dose
Threshold voltage
Charge retention
Capacitive coupling coefficient
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/96480

Internet

http://hdl.handle.net/10183/96480

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