Filmes finos de óxidos de vanádio depositados por sputtering reativo

• Main Author: Oliveira, João Tiburcio Dias de
• Other Authors: Schelp, Luiz Fernando
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: Universidade Federal de Santa Maria 2017
• Subjects: Fisica; Vanadio; CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
• Online Access: http://repositorio.ufsm.br/handle/1/9176

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior === We have produced thin film samples of vanadium oxide, with different stoichiometry, by reactive magnetron sputtering from a metallic vanadium target. The thickness of the samples were maintained under 100 nm and glass or silicon wafers, heated up to 440°C, were used as substrates. During the deposition, the gas atmosphere of Ar+O2 were kept in 7.5 mTorr and the partial oxygen pressure was ranging between 0.8 and 1.5 mTorr. The structural composition of the thin films was determinate, at room temperature, by X ray diffraction in the theta-2theta geometry, where the theta angle was varied from 10 to 45 degrees. All the samples have shown more than one vanadium phase in the range of partial pressures analyzed. The oxides are texturized and with grain sizes depending on the phase. For the smallest oxygen partial pressure, two different phases (tetragonal and monoclinic) of VO2 are predominant. As the pressure increases, oxides richer in oxygen like V2O5 are also present. RX results support the resistivity behavior as a function of the temperature measured in the samples. We suggest some procedures that allow the preparation of single phase vanadium oxide samples. === Neste trabalho, foram preparadas amostras de óxidos de vanádio, com diferentes estequiometrias, na forma de filmes finos com espessuras inferiores a 100 nm. Os filmes foram preparados por "magnetron sputtering" reativo, a partir de alvo metálico de vanádio, sobre substratos de vidro ou silício. Durante a deposição, a temperatura dos substratos foi mantida em 440°C. Foram utilizadas atmosferas de Ar+O2 com pressão total de 7.5 mTorr, sendo a pressão parcial de oxigênio variada, para cada uma das amostras, entre 0.8 e 1.5 mTorr. A composição e a estrutura dos filmes preparados foi analisada, a temperatura ambiente, através de difração de RX em uma geometria teta-2teta, sendo o angulo 2teta variado entre 10 e 45 graus. Na faixa de pressões parciais estudada todas as amostras mostraram a presença de mais de um óxido diferente, geralmente texturizadas e com tamanhos de grão dependentes da fase. Para as pressões parciais menores é encontrada uma predominância de fases de dióxido de vanádio. A medida que a pressão parcial de oxigênio é aumentada, fases mais ricas em oxigênio, como V2O5 tornam-se predominantes. Estes resultados são consistentes com resultados de medidas de resistividade em função da temperatura. A partir dos resultados obtidos, são sugeridos procedimentos para a obtenção de filmes com fases únicas.