Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica

Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica

Orientador: Jose Alexandre Diniz === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação === Made available in DSpace on 2018-08-03T16:19:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Felicio_AlexandreGorni_M.pdf: 3627115 bytes, checksum: 94d240c3e9bde7ece4a7a...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Felicio, Alexandre Gorni
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 2003
Subjects:
Silício
Dielétricos
Transistores de efeito de campo
Online Access:FELICIO, Alexandre Gorni. Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica. 2003. 79f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/259173>. Acesso em: 3 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259173

Internet

FELICIO, Alexandre Gorni. Filmes isolantes de SiOxNy formados por implantação de nitrogenio em substrato de silicio e posterior oxidação termica. 2003. 79f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/259173>. Acesso em: 3 ago. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259173

Similar Items